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	Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching
	Wei K(魏珂); Zheng YK(郑英奎)
	2017-07-25
文献子类	会议期刊
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18244]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	Wei K,Zheng YK. Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching[C]. 见:.

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