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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：174/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  Algan alloys   Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   Optical identification of electronic state levels of an asymmetric inas/ingaas/gaas dot-in-well structure 期刊论文 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1 作者:  Zhou,Xiaolong;  Chen,Yonghai;  Xu,Bo 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron-phonon coupling of G mode and assignment of a combination mode in carbon nanotubes 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2011, 卷号: 84, 期号: 7 Yin, Y; Walsh, AG; Vamivakas, AN; Cronin, SB; Prober, DE; Goldberg, BB 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 SINGLE  SCATTERING   提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：93/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE