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A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2018, 卷号: 39, 页码: 7400401-7400411
作者:  Haipeng Zhang;  Wang DJ(王德君)
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/09/17
一种GaN基异质结绿光激光器件 专利
专利号: CN205901069U, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18
作者:  王辉;  王冰;  赵洋;  李新忠;  王静鸽
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/11
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11
Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Current density dependence of transition energy in blue InGaN/GaN MQW LEDs 期刊论文
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2016
作者:  Zhang, F.(张峰);  Ikeda, M.;  Zhou, K.;  Liu, Z.S.;  Liu, J.P.(刘建平)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97
作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS
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