| 一种GaN基异质结绿光激光器件 | |
| 王辉; 王冰; 赵洋; 李新忠; 王静鸽; 李贺贺 | |
| 2017-01-18 | |
| 著作权人 | 河南科技大学 |
| 专利号 | CN205901069U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种GaN基异质结绿光激光器件 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种GaN基异质结绿光激光器件，包括蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上外延生长的n‑GaN电子注入层、n‑GaN电子注入层上外延生长的InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN量子阱层上的p‑NiO外延层、设置在p‑NiO外延层上的正电极和设置在n‑GaN电子注入层上的负电极；本实用新型采用p‑NiO代替p‑GaN作为空穴注入层和光散射层，制备成p‑NiO/(InGaN/GaN)MQW/n‑GaN异质结绿光激光器件，可以克服p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，工作电压高，器件输出功率低等缺点；同时NiO与GaN有相似的晶格常数及禁带宽度，采用p‑NiO作为p型材料与GaN基材料相匹配可以降低晶格失配，从而提高晶体质量。 |
| 公开日期 | 2017-01-18 |
| 申请日期 | 2016-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47909]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 河南科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,王冰,赵洋,等. 一种GaN基异质结绿光激光器件. CN205901069U. 2017-01-18. |
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