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	MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者: Jia CH; Song HP 收藏 \| 浏览/下载：118/2 \| 提交时间：2011/07/05 Anisotropy Crystal morphology Metalorganic chemical vapor deposition a-Plane InN INDIUM NITRIDE MOVPE GROWTH CUBIC INN SAPPHIRE GAN MBE
	Elastic and thermodynamic properties of c-BN from first-principles calculations 期刊论文 Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 217-222 Y. J. Hao; Y. Cheng; Y. J. Wang; X. R. Chen 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2012/04/13 elastic constants thermodynamic properties local density approximation c-BN cubic boron-nitride superconducting mgb2 zincblende bn constants phase aln gan transition pressure inn
	First-principles calculations of elastic constants of c-BN 期刊论文 Physica B-Condensed Matter, 2006, 卷号: 382, 期号: 1-2, 页码: 118-122 Y. J. Hao; X. R. Chen; H. L. Cui; Y. L. Bai 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2012/04/13 elastic constants local density approximation Debye temperature thermal expansion coefficients c-BN cubic boron-nitride molecular-dynamics simulation thermodynamic properties structural-properties superconducting mgb2 thermal-expansion zincblende bn gan aln phase
	First-principles calculations of elastic constants of c-BN 期刊论文 Physica B, 2006, 卷号: Vol.382 No.1-2, 页码: 118-122 作者: Hao, YJ; Chen, XR; Cui, HL; Bai, YL 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2019/02/25 elastic constants local density approximation Debye temperature thermal expansion coefficients c-BN CUBIC BORON-NITRIDE MOLECULAR-DYNAMICS SIMULATION THERMODYNAMIC PROPERTIES STRUCTURAL-PROPERTIES SUPERCONDUCTING MGB2 THERMAL-EXPANSION ZINCBLENDE BN GAN ALN PHASE
	Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth 期刊论文 PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371 Bakhtizin, RZ; Xue, QZ; Xue, QK; Wu, KH; Sakurai, T 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION COVERED GAN(0001) SURFACES LIGHT-EMITTING DIODES CUBIC GAN ATOMIC-STRUCTURE GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE LATTICE POLARITY SINGLE-CRYSTALS SILICON-CARBIDE
	Design of high brightness cubic-gan leds grown on gaas substrate 期刊论文 Journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 页码: S753-s756 作者: Sun, YP; Shen, XM; Zhang, ZH; Zhao, DG; Feng, ZH 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2019/05/12 Wafer bunding Cubic gan
	Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy X-ray diffraction Metalorganic vapor phase epitaxy selective area growth gallium nitride CUBIC GAN OVERGROWN GAN DEPOSITION GAAS(100)
	Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文 11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2010/11/15 wafer bunding cubic GaN LIGHT-EMITTING-DIODES FIELD-EFFECT TRANSISTOR SINGLE-CRYSTAL GAN MICROWAVE PERFORMANCE MIRROR JUNCTION
	Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 期刊论文 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s753-s756 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：51/0 \| 提交时间：2010/08/12 wafer bunding cubic GaN LIGHT-EMITTING-DIODES FIELD-EFFECT TRANSISTOR SINGLE-CRYSTAL GAN MICROWAVE PERFORMANCE MIRROR JUNCTION
	X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏 \| 浏览/下载：111/0 \| 提交时间：2010/08/12 buffer layers x-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition nitrides VAPOR-PHASE EPITAXY NUCLEATION LAYERS CUBIC GAN (001)GAAS SUBSTRATE STRAIN RELAXATION TEMPERATURE DEPOSITION QUALITY DIODES

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