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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2022     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者:  Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2];  Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2];  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2];  Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2] 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation  UTBB FD-SOI  1  f noise   Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050 作者:  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1];  Li, YD (Li, Yudong) [1];  Guo, Q (Guo, Qi) [1] 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/06/21 SRAM cells  Radiation effects  Arrays  Stability criteria  Circuit stability  Voltage measurement  Logic gates  Stability  static random-access memory (SRAM) cell  total ionizing dose (TID)