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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Magnetoresistance in a nominally undoped InGaN thin film 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 63-66 作者:  Ding K 收藏  |  浏览/下载：122/34  |  提交时间：2010/04/28 NEGATIVE MAGNETORESISTANCE  DIODES   Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001 作者:  Wei XC;  Duan RF;  Ding K 收藏  |  浏览/下载：76/19  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZATION  SEMICONDUCTORS  EMISSION  BOXES  BAND   Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：709/6  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE CONDUCTION  THIN-FILMS  OHMIC CONTACTS   Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS  II-VI SEMICONDUCTORS  THIN-FILMS  PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  DOPED ZNO  1ST-PRINCIPLES  CONDUCTION  STATES   Design of the low-temperature AlN interlayer for GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 381-388 Cong, GW; Lu, Y; Peng, WQ; Liu, XL; Wang, XH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2010/03/17 substrates   Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 Lu Y; Cong GW; Liu XL; Lu DC; Zhu QS; Wang XH; Wu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/29  |  提交时间：2010/03/09 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Influence of the growth temperature of the high-temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 4-11 作者:  Li DB;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：61/21  |  提交时间：2010/03/09 substrates   Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564 Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/17 STRESS