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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2006 [2]
2005 [2]
2004 [3]
学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Magnetoresistance in a nominally undoped InGaN thin film
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:
Ding K
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浏览/下载:122/34
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提交时间:2010/04/28
NEGATIVE MAGNETORESISTANCE
DIODES
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
收藏
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浏览/下载:76/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110
作者:
Han XX
;
Wei HY
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浏览/下载:710/6
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE CONDUCTION
THIN-FILMS
OHMIC CONTACTS
Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087
作者:
Han XX
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS
II-VI SEMICONDUCTORS
THIN-FILMS
PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
DOPED ZNO
1ST-PRINCIPLES
CONDUCTION
STATES
Design of the low-temperature AlN interlayer for GaN grown on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 381-388
Cong, GW
;
Lu, Y
;
Peng, WQ
;
Liu, XL
;
Wang, XH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2010/03/17
substrates
Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
收藏
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浏览/下载:58/22
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提交时间:2010/03/17
cracks
Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988
Lu Y
;
Cong GW
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Zhu QS
;
Wang XH
;
Wu JJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:78/29
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提交时间:2010/03/09
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of the growth temperature of the high-temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 4-11
作者:
Li DB
;
Han XX
收藏
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浏览/下载:61/21
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提交时间:2010/03/09
substrates
Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564
Lu, Y
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Wang, ZG
;
Wu, MF
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/03/17
STRESS
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