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半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
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2013 [2]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [2]
2004 [4]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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InAs-mediated growth of vertical InSb nanowires on Si substrates
期刊论文
nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8
Tianfeng Li, Lizhen Gao, Wen Lei, Lijun Guo, Huayong Pan, Tao Yang, Yonghai Chen, Zhanguo Wang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/03/17
Raman study on zinc-blende single InAs nanowire grown on Si (111) substrate
期刊论文
nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 页码: 27
Li, Tianfeng
;
Gao, Lizhen
;
Lei, Wen
;
Guo, Lijun
;
Yang, Tao
;
Chen, Yonghai
;
Wang, Zhanguo
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/22
Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262
作者:
Yang Xiaoli
;
Wang Yu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
Gao FB (Gao Fubao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
crystal structure
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:100/29
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提交时间:2010/03/29
homoepitaxial growth
low-pressure hot-wall CVD
structural and optical characteristics
intentional doping
Schottky barrier diodes
LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 982-985
作者:
LIU Xingfang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs
期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010
作者:
NING Jin
;
LIU Xingfang
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1555-1560
Gao Xin
;
Sun Guosheng
;
Li Jinmin
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zhang Yongxin
;
Zeng Yiping
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Preparation of 50mm 3C-SiC/Si(111) as Substrates Suited for Ⅲ-Nitrides
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 1205-1210
Sun Guosheng
;
Zhang Yongxing
;
Gao Xin
;
Wang Junxi
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Wang Xiaoliang
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Homoepitaxial Growth and Characterization of 4H-SiC Epilayers by Low-Pressure Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1549-1554
Sun Guosheng
;
Gao Xin
;
Zhang Yongxing
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
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