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天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 281-284
作者:  王仍;  陆液;  焦翠灵;  乔辉;  李向阳
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高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110362040.7, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1张可锋2林杏潮3张莉萍4 邵秀华5王仍6焦翠灵 7陆液 8杜云辰9宋坤骏10李向阳
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一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器 专利
专利号: 201110063540.0, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者:  1王仍 2李向阳 3 林杏潮 4张莉萍 5张可峰 6焦翠灵 7陆液 8 邵秀华 9 陆荣
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“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究 期刊论文
红外, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 1-5
作者:  张可锋;  林杏潮;  张莉萍;  王仍;  焦翠灵
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HgCdTe双层组分异质结技术及其性能评价 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  焦翠灵
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