“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究

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	“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究
	张可锋; 林杏潮; 张莉萍; 王仍; 焦翠灵; 陆液; 王妮丽; 李向阳
刊名	红外
	2011-06-10
卷号	32 期号:6 页码:1-5
关键词	霍尔测量 Hgcdte 磁输运迁移率谱
英文摘要	详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性，并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。特别是“弱p型”材料，由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μe/μh ≈ 10^2)，更容易受到少数载流子(电子)的干扰，因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分性能很差的低迁移率n型材料和“弱p型”材料。通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试，并结合迁移率谱技术分析了两者的差别。结果表明，利用迁移率谱技术可以很好地区分这两种碲镉汞材料。
公开日期	2011-07-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/1036]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	张可锋,林杏潮,张莉萍,等. “弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究[J]. 红外,2011,32(6):1-5.
APA	张可锋.,林杏潮.,张莉萍.,王仍.,焦翠灵.,...&李向阳.(2011).“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究.红外,32(6),1-5.
MLA	张可锋,et al."“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究".红外 32.6(2011):1-5.