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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2016 作者:  Duan NY(段宁远);  Wang GL(王桂磊);  Liu JB(刘金彪);  Eddy simoen;  Mao SJ(毛淑娟) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/09 Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文 Microelectronics Engineering, 2016 作者:  Wang GL(王桂磊);  Qin ZL(秦长亮);  Yin HX(殷华湘);  Duan NY(段宁远);  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09 On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping 期刊论文 ECS Transactions, 2016 作者:  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Eddy Simoen;  Wang GL(王桂磊);  Mao SJ(毛淑娟) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/05/09