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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2018 作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶) 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/03/27 Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 AIP ADVANCES, 2018 作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/03/27 Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018 作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Fan, Yaming(范亚明);  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Yu, Guohao(于国浩);  Zhao, Jie 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/03/27 Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018 作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Li, Xiang;  Xu, Ning;  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Zhang, Xinping 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/03/27 Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/02/05 Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Song, Liang;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩） 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/02/05