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苏州纳米技术与纳米... [30]
内容类型
期刊论文 [30]
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2016 [19]
2015 [6]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
APPLIED OPTICS, 2017
作者:
Li, X.
;
Liu, Z. S.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/02/05
The fabrication and lasing characteristics of oxide-confined 795 nm VCSELs with close and open isolation trenches
期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017
作者:
Sun, Y. R.(孙玉润)
;
Dong, J. R.(董建荣)
;
Zhao, Y. M.(赵勇明)
;
Yu, S. Z.(余淑珍)
;
He, Y.(何洋)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/02/06
Constructing Ultrahigh-Capacity Zinc-Nickel-Cobalt Oxide@Ni(OH)(2) Core-Shell Nanowire Arrays, for High-Performance Coaxial Fiber-Shaped Asymmetric Supercapacitors
期刊论文
NANO LETTERS, 2017
作者:
Zhang, QC
;
Xu, WW
;
Sun, J
;
Pan, ZH
;
Zhao, JX
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/02/05
The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8
作者:
Li, X
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96
作者:
Liu, W
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4
作者:
Li, X
;
Liu, ZS
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses
期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
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