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科研机构
半导体研究所 [14]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
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2010 [2]
2009 [3]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [2]
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学科主题
光电子学 [14]
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学科主题:光电子学
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Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Le LC
;
Zhang SM
;
Wu LL
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浏览/下载:46/3
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提交时间:2011/07/05
Nitride materials
Crystal growth
Composition fluctuations
X-ray diffraction
LAYER
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:146/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108
作者:
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:168/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
DETECTORS
GROWTH
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:
Su SJ
;
Xue CL
收藏
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
SILICON
GAP
Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096
Wang HL
;
Xing MX
;
Ren G
;
Zheng WH
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
photonic crystals
plasma materials processing
semiconductor lasers
sputter etching
MQW electroabsorption modulator-integrated DFB laser modules for high-speed transmission
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 734-739
作者:
Pan JQ
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
VAPOR-PHASE EPITAXY
MONOLITHIC INTEGRATION
SELECTIVE GROWTH
LAYERS
DIODE
MOVPE
Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: art.no.112106
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
SCATTERING
GROWTH
LAYERS
Study on the thermal stability of InN by in-situ laser reflectance system
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 310-317
Huang Y
;
Wang H
;
Sun Q
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:44/12
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提交时间:2010/03/17
in situ reflectometry
4-ps passively mode-locked Nd : Gd0.5Y0.5VO4 laser with a semiconductor saturable-absorber mirror
期刊论文
optics letters, 2004, 卷号: 29, 期号: 23, 页码: 2803-2805
He, JL
;
Fan, YX
;
Du, J
;
Wang, YG
;
Liu, S
;
Wang, HT
;
Zhang, LH
;
Hang, Y
收藏
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浏览/下载:154/51
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提交时间:2010/03/09
HIGH-AVERAGE-POWER
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