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近代物理研究所 [76]
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The effect of cavities on recrystallization growth of high-fluence He implanted-SiC
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2021, 卷号: 509, 页码: 68-72
作者:
Zhang, Tongmin
;
He, Xiaoxun
;
Chen, Limin
;
Li, Jun
;
Liao, Qing
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2022/01/07
He implantation
Recrystallization
Microstructure
6H-SiC
beta-delayed neutron emission of r-process nuclei at the N=82 shell closure
期刊论文
PHYSICS LETTERS B, 2021, 卷号: 816, 页码: 7
作者:
Hall, O.
;
Davinson, T.
;
Estrade, A.
;
Liu, J.
;
Lorusso, G.
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2021/12/09
beta-delayed neutron emission
r-processimportant
Lattice Defects and Exfoliation Efficiency of 6H-SiC via H-2(+) Implantation at Elevated Temperature
期刊论文
MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: 13
作者:
Wang, Tao
;
Yang, Zhen
;
Li, Bingsheng
;
Xu, Shuai
;
Liao, Qing
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/13
6H-SiC
H-2(+) implantation
exfoliation
microstructure
Comparison of Cavities Formed in Single Crystalline and Polycrystalline alpha-SiC after H Implantation
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Liao, Qing
;
Kang, Long
;
Zhang, Tong-Min
;
Liu, Hui-Ping
;
Wang, Tao
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/01/12
61
80
Jh
61
82
Fk
68
37
Lp
81
40
Wx
Lattice disorder and N elemental segregation in ion implanted GaN epilayer
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 499, 页码: 9
作者:
Li, B. S.
;
Liu, H. P.
;
Xu, L. J.
;
Wang, J.
;
Song, J.
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2022/01/19
He implantation
Lattice disorder
GaN
Transmission electron microscopy
Dislocation loops
6H-SiC blistering efficiency as a function of the hydrogen implantation fluence
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 466, 页码: 141-150
作者:
Daghbouj, N.
;
Li, B. S.
;
Karlik, M.
;
Declemy, A.
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/03/27
Hydrogen implantation
6H-SiC
Smart-cut
Blistering
Strain
Loop-punching suppression induced by growth of helium bubble pair in tungsten
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 124
作者:
Gao, N.
;
Cui, M. H.
;
Setyawan, W.
;
Kurtz, R. J.
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/03/27
Transmission electron microscopy and high-resolution electron microscopy studies of structural defects induced in Si single crystals implanted by helium ions at 600 degrees C
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 455, 页码: 433-437
作者:
Han, W. T.
;
Liu, H. P.
;
Li, B. S.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/10/08
He implantation
Si
Transmission electron microscopy
Cavities
Frank loops
Observation of beta-delayed He-2 emission from the proton-rich nucleus Al-22
期刊论文
PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 784, 页码: 12-15
作者:
Wang, Y. T.
;
Fang, D. Q.
;
Wang, K.
;
Xu, X. X.
;
Sun, L. J.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/03/27
Microstructure of Hydrogen-Implanted Polycrystalline alpha-SiC after Annealing
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35
作者:
Liu, Hui-Ping
;
Li, Jin-Yu
;
Li, Bing-Sheng
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/03/27
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