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半导体物理 [9]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Tang LM (Tang Li-Ming) 收藏 \| 浏览/下载：101/3 \| 提交时间：2010/05/24 SIMULATION TRANSISTORS LIMIT NM
	High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330 作者: Zhu H; Liu J 收藏 \| 浏览/下载：252/78 \| 提交时间：2010/03/08 PHOTODIODE
	Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647 作者: Zhang Y; Zhang Y 收藏 \| 浏览/下载：266/32 \| 提交时间：2010/03/08 resonant tunnelling diode molecular beam epitaxy
	Transverse magnetic field effect on the current hysteresis of doped GaAs/AlAs superlattice 期刊论文 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 947-951 Sun, BQ; Wang, JN; Jiang, DS 收藏 \| 浏览/下载：80/21 \| 提交时间：2010/03/17 CURRENT SELF-OSCILLATION
	Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216 Shang YC; Liu ZL; Wang SR 收藏 \| 浏览/下载：55/0 \| 提交时间：2010/08/12 SiC Schottky contacts reverse characteristics tunneling current ELECTRICAL CHARACTERISTICS INHOMOGENEITIES DIODES
	Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2010/08/12 current stressing DLTS flicker noise heterojunctions III-V nitride LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS RESONANT-TUNNELING DIODES FLICKER NOISE GALLIUM NITRIDE 1/F NOISE DEVICES TRANSISTORS QUALITY
	Transport property in narrow barrier GaAs/AlAs superlattice under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 8 part 1, 页码: 4259-4261 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES CARRIER TRANSPORT OSCILLATIONS DOMAINS STATE
	Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices 会议论文 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 作者: Liu J 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2010/11/15 GaAs/AlAs superlattices transport tunnelling Landau level NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY LOW-FIELD MOBILITY SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE TEMPERATURE-DEPENDENCE CONDUCTANCE TRANSPORT LOCALIZATION MINIBANDS
	ELECTRON-TRANSPORT THROUGH GAALAS BARRIERS IN GAAS 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 341-345 FENG SL; KRYNICKI J; ZAZOUI M; BOURGOIN JC; BOIS P; ROSENCHER E 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/11/15 RESONANT TUNNELING DIODES CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS QUANTUM-WELLS ALGAAS GAAS SUPERLATTICES LAYERS

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