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Investigation of the distribution of deep levels in 4H-SiC epitaxial wafer by DLTS with the method of decussate sampling
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125352
作者:
Yawei He
;
Guoguo Yan
;
Zhanwei Shen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Feng Zhang
;
Yiping Zeng
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/12/20
Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2018
作者:
Yun Li
;
Yao Ma
;
Wei Lin
;
Peng Dong
;
zhimei Yang
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/04/18
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:
Li, Yun
;
Ma, Yao
;
Lin, Wei
;
Dong, Peng
;
Yang, Zhimei
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/02/25
TiN/HfO2/Si MOS capacitor
gamma-ray irradiation
Oxide trapped and interface trapped
C-V
DLTS
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:
Li, Yun
;
Ma, Yao
;
Lin, Wei
;
Dong, Peng
;
Yang, Zhimei
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/26
TiN/HfO2/Si
MOS
capacitor
gamma-ray
irradiation
Oxide
trapped
and
interface
trapped
C-V
DLTS
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions
期刊论文
Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Guo, Chun-Sheng
;
Wang, Ruo-Min
;
Zhang, Yu-Wei
;
Pei, Guo-Xi
;
Feng, Shi-Wei
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/04/23
Electron irradiation
Deep level transient spectroscopy (dlts)
Minority carrier life time
Silicon diode
Investigation of current collapse mechanism of LPCVD Si3N4 passivated AlGaN/GaN HEMTs by fast soft-switched current-DLTS and CC-DLTFS
会议论文
作者:
Kang XW(康玄武)
;
Huang S(黄森)
;
Wei K(魏珂)
;
Wang XH(王鑫华)
;
Zhang JH(章晋汉)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/07/20
Control of a high temperature DLTS setup
学位论文
: Uppsala University, 2017
作者:
Marklund,Daniel
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/24
DLTS
Semiconductor
diamond
silicon
carbide
technology
labview
Other
Electrical
Engineering
Electronic
Engineering
Information
Engineering
Annan
elektroteknik
och
elektronik
AlGaN/GaN 功率器件缓冲层陷阱的分析方法
期刊论文
半导体技术, 2016
邓小社
;
梁亚楠
;
贾利芳
;
樊中朝
;
何志
;
张韵
;
张大成
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
AlGaN/GaN
缓冲层
陷阱能级
电容瞬态测试
电流瞬态测试
Characterization of InGaN by Means of I-V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS
期刊论文
ARABIAN JOURNAL FOR SCIENCE AND ENGINEERING, 2015, 卷号: 40, 页码: 263-268
作者:
Asghar, H. M. Noor ul Huda Khan
;
Gilani, Zaheer Abbas
;
Awan, M. S.
;
Ahmad, I.
;
Tan, Yi
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/09
Semiconducting indium gallium nitride materials
I-V characteristics
Deep-level transient spectroscopy ( DLTS) of the material
Light-emitting diode
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