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高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展 期刊论文
半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 417-422
作者:  张明兰
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16
AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟 期刊论文
半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 874-876,902
作者:  张明兰
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2011/08/16
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23
四十年峥嵘岁月 期刊论文
物理, 2003, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 820-822
林兰英
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/23
Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23
Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 130-134
孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 李建平; 曾一平; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301
张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者:  杨少延
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 199-201
作者:  韩勤;  徐波
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23

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