室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb

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	室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb
	杨少延
刊名	科学通报
	2002
卷号	47 期号:24 页码:1863-1864
中文摘要	采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。
英文摘要	采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5122.pdf: 129019 bytes, checksum: e9537739fa1a614455538608191161f7 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号：6 176 1）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683，G2 365）资助项目; 中国科学院半导体所;中国科学院力学所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（批准号：6 176 1）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683，G2 365）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18151]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb[J]. 科学通报,2002,47(24):1863-1864.
APA	杨少延.(2002).室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb.科学通报,47(24),1863-1864.
MLA	杨少延."室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb".科学通报 47.24(2002):1863-1864.