Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究

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	Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究
	孙国胜 ; 王雷 ; 罗木昌 ; 赵万顺 ; 朱世荣 ; 李晋闽 ; 曾一平 ; 林兰英
刊名	固体电子学研究与进展
	2003
卷号	23 期号:2 页码:135-138
中文摘要	在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用反射高能电子衍射（RHEED）和扫描电镜（SEM）技术详细研究了Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构，获得了界面平整光滑、没有空洞形成的3C-SiC外延材料，并采用X- 射线衍射（XRD)、双晶X- 射线衍射（DXRD）和霍尔(Hall）测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性。
英文摘要	在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用反射高能电子衍射（RHEED）和扫描电镜（SEM）技术详细研究了Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构，获得了界面平整光滑、没有空洞形成的3C-SiC外延材料，并采用X- 射线衍射（XRD)、双晶X- 射线衍射（DXRD）和霍尔(Hall）测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4870.pdf: 362415 bytes, checksum: e17adafa3c01f0dee9d44bf91ad8ca8f (MD5) Previous issue date: 2003; 国家重点基础研究专项经费（G2 683）,国家863高技术研究与发展项目（2 1AA311 9 ）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究专项经费（G2 683）,国家863高技术研究与发展项目（2 1AA311 9 ）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17673]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	孙国胜,王雷,罗木昌,等. Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):135-138.
APA	孙国胜.,王雷.,罗木昌.,赵万顺.,朱世荣.,...&林兰英.(2003).Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究.固体电子学研究与进展,23(2),135-138.
MLA	孙国胜,et al."Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究".固体电子学研究与进展 23.2(2003):135-138.