AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟

	AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟
	张明兰
刊名	半导体技术
	2010
卷号	35 期号:9 页码:874-876,902
中文摘要	用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响. 模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(L_(FP), length of field plate)、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大. 随着L_(FP)的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值E_(peak1)明显下降,对提高器件的耐压非常有利. 通过对相同器件结构处于不同漏压下的情况进行模拟,发现当器件处于高压下时,场板的分压作用更加明显,说明场板结构更适合于制备用作电力开关器件的高击穿电压 AlGaN/GaNHEMT
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金青年科学基金资助
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21664]
专题	半导体研究所_半导体材料科学中心
推荐引用方式 GB/T 7714	张明兰. AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟[J]. 半导体技术,2010,35(9):874-876,902.
APA	张明兰.(2010).AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟.半导体技术,35(9),874-876,902.
MLA	张明兰."AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟".半导体技术 35.9(2010):874-876,902.