QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究 期刊论文 半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764 作者:  吴猛 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/07/16 GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6 作者:  王兵;  李志聪;  梁萌 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2011/08/16 标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备 期刊论文 光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 644-646 作者:  王伟 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/08/16 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析 期刊论文 发光学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 369-372 作者:  王伟 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/08/16 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2009/06/11 GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王立彬; 王良臣 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2009/06/11 GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  伊晓燕 收藏  |  浏览/下载：336/93  |  提交时间：2009/06/11 功率型GaN基LED静电保护方法研究 期刊论文 半导体光电, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 474-477 作者:  伊晓燕;  刘志强 收藏  |  浏览/下载：125/10  |  提交时间：2010/11/23 大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析 期刊论文 半导体光电, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 769-773 作者:  刘志强;  伊晓燕 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 一种紫外LED的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/09