功率型GaN基LED静电保护方法研究

	功率型GaN基LED静电保护方法研究
	伊晓燕; 刘志强
刊名	半导体光电
	2007
卷号	28 期号:4 页码:474-477
中文摘要	介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管（LED）静电保护的方法，分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理，并在此基础上，提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16191]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	伊晓燕,刘志强. 功率型GaN基LED静电保护方法研究[J]. 半导体光电,2007,28(4):474-477.
APA	伊晓燕,&刘志强.(2007).功率型GaN基LED静电保护方法研究.半导体光电,28(4),474-477.
MLA	伊晓燕,et al."功率型GaN基LED静电保护方法研究".半导体光电 28.4(2007):474-477.