GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法

	GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
	伊晓燕
	2008-05-07
专利类型	发明
英文摘要	Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610114193.pdf: 594950 bytes, checksum: 67aef336eccedc6d58aafbecae799f26 (MD5) Previous issue date:
公开日期	2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期	2006-11-01
语种	中文
专利申请号	200610114193
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4015]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	伊晓燕. GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法. 2008-05-07.