| 一种紫外LED的制作方法; 一种紫外LED的制作方法; 一种紫外LED的制作方法; 一种紫外LED的制作方法 | |
| 贠利君 ; 吴奎 ; 刘乃鑫 ; 刘喆 ; 王军喜 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102148300A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种紫外LED的制作方法,包括下述步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长成核层和n型层；步骤3：在n型层上生长多量子阱层；步骤4：在多量子阱层上生长电子阻挡层和p型层,完成结构的生长。本发明可以解决白光固态照明中用紫外光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中紫外LED输出功率低的问题。 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110063867.8 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23516]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贠利君,吴奎,刘乃鑫,等. 一种紫外LED的制作方法, 一种紫外LED的制作方法, 一种紫外LED的制作方法, 一种紫外LED的制作方法. CN102148300A. |
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