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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  文林 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2015/06/15 电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元   典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  姜柯 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2015/06/15 60Coγ辐照源  质子辐射  电子辐射  中子辐射  双极器件  辐射效应   InGaAs量子阱光电材料的辐射效应研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  王海娇 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/06/15 InGaAs/InP 量子阱  电子辐照  质子辐照  γ 辐照  辐射损伤  光致发   Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199 作者:  Wang, B (Wang Bo);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Liu, CJ (Liu Chang-Ju);  Wen, L (Wen Lin) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/01/26 Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor  Dark Signal  Proton Radiation  Displacement Effect