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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of electron beam and gamma-ray irradiated InGaAs/GaAs quantum well and quantum dot structures 期刊论文 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2013, 卷号: 83, 期号: 1, 页码: 42-47 作者:  Aierken A.;  Guo Q.;  Huhtio T.;  Sopanen M.;  He Ch F. 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/11/07 Irradiation  Electron beam  gamma-Ray  Quantum structure  Photoluminescence   Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13 作者:  Wu Xue;  Lu Wu;  Wang Xin;  Xi Shan-Bin;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/07 0.18 mu m  narrow-channel NMOS transistor  60Co gamma  RINCE   research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: - 作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 partial-depletion-silicon-on insulator  static random access memory  total-dose effects  power supply current   Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 12, 页码: - 作者:  Li Y. L.;  Wang X. J.;  He S. M.;  Zhang B.;  Sun L. X. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/11/07 Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Cui Jiang-Wei;  Lan Bo 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  Co-60 gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity