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新疆理化技术研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2013 [1]
学科主题
Physics [1]
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Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)
;
Wei, Y (Wei, Ying)
;
Yu, XF (Yu, Xue-Feng)
;
Lu, W (Lu, Wu)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/05/07
Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13
作者:
Wu Xue
;
Lu Wu
;
Wang Xin
;
Xi Shan-Bin
;
Guo Qi
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2013/11/07
0.18 mu m
narrow-channel NMOS transistor
60Co gamma
RINCE
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