|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 无铝半导体激光器结构 专利
专利号: CN104242058A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 许并社; 董海亮; 梁建; 马淑芳; 余春艳
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法 专利
专利号: CN104242053A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24
作者: 徐春祥; 理记涛; 田正山; 林毅; 卢俊峰
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN102593717B, 申请日期: 2014-12-03, 公开日期: 2014-12-03
作者: 郑钢; 雷军; 李弋; 武德勇
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法 专利
专利号: CN104158087A, 申请日期: 2014-11-19, 公开日期: 2014-11-19
作者: 李建军; 林盛杰; 何林杰
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利
专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
作者: 魏志鹏; 田珊珊; 方铉; 唐吉龙; 李金华
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 专利
专利号: CN201110138464.5, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2012-11-28
作者: 谢常青 ; 王晨杰; 霍宗亮; 刘明; 张满红
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/04/14 |
| 一种N型GaAs基激光二极管的制造方法 专利
专利号: CN103762501A, 申请日期: 2014-04-30, 公开日期: 2014-04-30
作者: 周明; 申云; 苏学杰; 段中明
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种P型GaAs基激光二极管的制造方法 专利
专利号: CN103746050A, 申请日期: 2014-04-23, 公开日期: 2014-04-23
作者: 周明; 申云; 顾理建; 张兴杰
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 用于预处理III族氮化物沉积的方法 专利
专利号: CN103548116A, 申请日期: 2014-01-29, 公开日期: 2014-01-29
作者: 尤里·梅尔尼克; 陈璐; 湖尻英彦
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 分布反馈式激光器及其制备方法 专利
专利号: CN103545711A, 申请日期: 2014-01-29, 公开日期: 2014-01-29
作者: 王火雷; 米俊萍; 于红艳; 丁颖; 王宝军
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
