| ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 | |
| 魏志鹏; 田珊珊; 方铉; 唐吉龙; 李金华; 方芳; 楚学影; 王晓华; 王菲 | |
| 2014-11-12 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN104143760A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，该方法包括：硫钝化，与InP表面自体氧化物发生化学反应而清洗，并生成硫化物钝化膜，消除InP表面悬键并使InP表面与外界隔绝；对InP基片进行快速热退火，使In-S键更好的结合，并且去除InP表面多余的单质硫层；利用ALD沉积AlN薄膜，AlN薄膜将InP表面形成保护层，防止InP表面硫钝化层重新被氧化。本发明有效提高钝化质量，有效解决了硫钝化退化。 |
| 公开日期 | 2014-11-12 |
| 申请日期 | 2013-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63783]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏志鹏,田珊珊,方铉,等. ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法. CN104143760A. 2014-11-12. |
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