| 一种N型GaAs基激光二极管的制造方法 | |
| 周明; 申云; 苏学杰; 段中明 | |
| 2014-04-30 | |
| 著作权人 | 南通明芯微电子有限公司 |
| 专利号 | CN103762501A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种N型GaAs基激光二极管的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，其包括形成GaAs衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaAs衬底的方法包括将GaAs晶片放入高温高压装置中，对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaAs晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 |
| 公开日期 | 2014-04-30 |
| 申请日期 | 2014-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65086]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南通明芯微电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周明,申云,苏学杰,等. 一种N型GaAs基激光二极管的制造方法. CN103762501A. 2014-04-30. |
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