| 用于预处理III族氮化物沉积的方法 | |
| 尤里·梅尔尼克; 陈璐; 湖尻英彦 | |
| 2014-01-29 | |
| 著作权人 | 应用材料公司 |
| 专利号 | CN103548116A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于预处理III族氮化物沉积的方法 |
| 英文摘要 | 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。 |
| 公开日期 | 2014-01-29 |
| 申请日期 | 2012-05-18 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66811]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 应用材料公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尤里·梅尔尼克,陈璐,湖尻英彦. 用于预处理III族氮化物沉积的方法. CN103548116A. 2014-01-29. |
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