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半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [1]
2013 [1]
2009 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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Low resistivity ohmic contacts on lightly doped n-type -Ga2O3 using Mg/Au
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 页码: 3860-3864
作者:
Shi, Jianjun
;
Xia, Xiaochuan
;
Liang, Hongwei
;
Abbas, Qasim
;
Liu, Jun
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/12/02
Electric contactors
Electrodes
Gallium compounds
Ohmic contacts, Annealed samples
Annealing temperatures
Contact electrodes
Contact mechanism
Specific contact resistances
Surface profiles
Transmission-line measurements
Voltage characteristics, Annealing
合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响
期刊论文
2013
林旺
;
阮育娇
;
陈松岩
;
李成
;
赖虹凯
;
汤丁亮
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/05/17
Al/n+-Ge接触
离子注入
退火
圆形传输线模型(CTLM)
接触电阻率
Al/n+-Ge contact
ion implantation
annealing
circular transmission line model(CTLM)
contact resistivity
NiO removal of Ni/Au Ohmic contact to p-GaN after annealing
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 101-104
作者:
Yan Tingjing
;
Chen Lianghui
;
Zhang Shuming
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提交时间:2010/11/23
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