×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京航空航天大学 [54]
物理研究所 [39]
北京大学 [4]
微电子研究所 [3]
西安交通大学 [2]
计算技术研究所 [2]
更多...
内容类型
期刊论文 [90]
会议论文 [20]
其他 [2]
学位论文 [2]
发表日期
2020 [2]
2019 [11]
2018 [14]
2017 [13]
2016 [11]
2015 [14]
更多...
学科主题
微电子学 [2]
Chemistry [1]
Materials ... [1]
Physics [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共114条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Radiation impact of swift heavy ion beams on double-interface CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 17, 页码: 5
作者:
Wang, Bi
;
Wang, Zhaohao
;
Du, Ao
;
Qiang, You
;
Cao, Kaihua
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2022/01/18
Four distinct resistive states in van der Waals full magnetic 1T-VSe2/CrI3/1T-VSe2 tunnel junction
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 505
作者:
Li, Fangfang
;
Yang, Baishun
;
Zhu, Yu
;
Han, Xiufeng
;
Yan, Yu
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2020/12/16
FERROMAGNETISM
Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7
作者:
Zhao, P. X.
;
Liu, T. Q.
;
Cai, C.
;
Li, D. Q.
;
Ji, Q. G.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2022/01/19
MTJ damage
Heavy ion
Displacement damage
Hard bit error
Annealing effect
An Adaptive Thermal-Aware ECC Scheme for Reliable STT-MRAM LLC Design
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1851-1860
作者:
Wu, Bi
;
Zhang, Beibei
;
Cheng, Yuanqing
;
Wang, Ying
;
Liu, Dijun
收藏
  |  
浏览/下载:69/0
  |  
提交时间:2019/12/10
Error correction code (ECC)
last level cache (LLC)
reliability
spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)
temperature
Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
Low-Temperature Performance of Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double MgO-Interface Free Layer
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2019, 卷号: 55
作者:
Cao, Kaihua
;
Li, Huisong
;
Cai, Wenlong
;
Wei, Jiaqi
;
Wang, Lezhi
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ)
spin transfer torque (STT)
spintronics
temperature dependence
A Novel MTJ-Based Non-Volatile Ternary Content-Addressable Memory for High-Speed, Low-Power, and High-Reliable Search Operation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 页码: 1454-1464
作者:
Wang, Chengzhi
;
Zhang, Deming
;
Zeng, Lang
;
Deng, Erya
;
Chen, Jie
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/30
MTJ
NV-TCAM
search reliability
ultra-low power
search delay
144-bit word circuit
Addressing Failure and Aging Degradation in MRAM/MeRAM-on-FDSOI Integration
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2019, 卷号: 66, 页码: 239-250
作者:
Cai, Hao
;
Wang, You
;
Naviner, Lirida Alves de Barros
;
Liu, Xinning
;
Shan, Weiwei
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI)
magnetic tunnel junction (MTJ)
spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM)
voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA)
magnetoelectric random access memory (MeRAM)
aging
reliability
variability
High TMR for both in-plane and perpendicular magnetic field justified by CoFeB free layer thickness for 3-D MTJ sensors
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9
作者:
Lei, Zicong
;
Yan, Shaohua
;
Cao, Zhiqiang
;
Guo, Zongxia
;
Song, Panshen
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI
会议论文
GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI, 2019-01-01
作者:
Cai, Hao
;
Han, Menglin
;
Shan, Weiwei
;
Yang, Jun
;
Wang, You
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/30
VCMA-MTJ
design boundary
voltage assisted techniques
ultra-low power
FD-SOI
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace