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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GeSn合金生长动力学及光子器件研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  王楠 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/09/22 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19 作者:  马小龙;  殷华湘;  付作振 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/22 Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 丛慧 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/06/05 硅基光电子学  GeSn合金  短波红外探测器  石墨烯   应变对于GeSn合金的能带结构和发光增益影响的第一性原理研究 会议论文 第十三届全国量子化学会议, 大连, 2017-06-01 - 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/03 GeSn合金  带隙  单轴应变   半导体器件 专利 申请日期: 2012-08-16, 作者:  朱慧珑;  马小龙;  殷华湘;  许淼 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/04/03 GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离 期刊论文 物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 17, 页码: 176104-1-176104-5 苏少坚,成步文,薛春来,张东亮,张广泽,王启明 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2013/05/29 基于GeSn合金的中红外探测与发光器件应变工程研究 学位论文 作者:  张庆芳[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/29 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 收藏  |  浏览/下载：216/0  |  提交时间：2011/08/30 GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2011/08/30