题名 | Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备 |
作者 | 丛慧 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2017-05-31 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 王启明 院士 |
关键词 | 硅基光电子学 GeSn合金 短波红外探测器 石墨烯 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 |
公开日期 | 2017-06-05 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28242] |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丛慧. Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
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