半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	马小龙; 殷华湘; 付作振
	2018-09-14
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210293525.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、衬底中源漏区之间的沟道区，其特征在于：源漏区中的源区包括GeSn合金，并且源区的GeSn合金与沟道区之间可选地还包括隧穿介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过选择性外延或者注入前驱物然后激光快速退火，形成了具有窄带隙的GeSn合金，有效提高了TFET的开态电流，在高性能低功耗应用中具有重要应用前景。
公开日期	2014-02-19
申请日期	2012-08-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18839]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	马小龙,殷华湘,付作振. 半导体器件及其制造方法. CN201210293525.X. 2018-09-14.