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新疆理化技术研究所 [6]
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2016 [1]
2015 [2]
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Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184
作者:
Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ]
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/05/10
Backside‐
illuminated CMOS image sensors
Dark signal behaviors
Displacement damage effects
Neutron irradiation
A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 540-550
作者:
Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2020/07/06
Charge coupled devices (CCDs)
proton irradiation
neutron irradiation
hot pixels
displacement damage effects
Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors
期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 57, 期号: 9, 页码: 1015-1021
作者:
Zhang, X (Zhang, Xiang)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/12/09
14-MeV neutron
neutron irradiation
radiation damage
radiation effect
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
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提交时间:2016/09/27
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
姜柯
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2015/06/15
60Coγ辐照源
质子辐射
电子辐射
中子辐射
双极器件
辐射效应
Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 19
作者:
Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe)
;
Li, YD (Li Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen Lin)
;
He, CF (He Cheng-Fa)
;
Guo, Q (Guo Qi)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/01/24
Charge Coupled Devices
Proton Irradiation
Neutron Irradiation
Transport Simulation
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