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Electroluminescence from au/(sio2/si/sio2) nanometer double barrier/p-si structures and its mechanism 期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 50, 页码: 11751-11761
作者:  Qin, GG;  Chen, Y;  Ran, GZ;  Zhang, BR;  Wang, SH
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Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite iii-v nitride quantum wells 期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
作者:  Wan, SP;  Xia, JB;  Chang, K
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Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-gan 期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
作者:  Xu, XL;  Liu, HT;  Shi, CS;  Zhao, YW;  Fung, S
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Photoluminescence behavior of quantum dots in spherical glass microcavity 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2001, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 421-425
作者:  Jia, R;  Jiang, DS;  Chen, JH;  Tan, PH;  Sun, BQ
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Desorption/ionization mass spectrometry on porous silicon 期刊论文
chinese journal of analytical chemistry, 2001, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 1365-1369
作者:  Zhang, QC;  Zou, HF;  Zhang, Q;  Guo, Z;  Jiang, HH
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/11/10
Photoluminescence behavior of quantum dots in spherical glass microcavity 期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 421-425
作者:  Jia, R;  Jiang, DS;  Chen, JH;  Tan, PH;  Sun, BQ
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of gan layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657
作者:  Sun, XL;  Yang, H;  Zhu, JJ;  Wang, YT;  Chen, Y
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Defect states in cubic gan epilayer grown on gaas by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685
作者:  Xu, SJ;  Or, CT;  Li, Q;  Zheng, LX;  Xie, MH
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Exciton localization in in0.15ga0.85as/gaas quantum wire structures grown on (553)b-oriented gaas substrate 期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5111-5114
作者:  Liu, BL;  Liu, B;  Xu, ZY;  Ge, WK
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Radiative recombination characteristics in gaas multilayer n(+)-i interfaces 期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
作者:  Shen, WZ;  Jiang, LF;  Yu, G;  Lai, ZY;  Wang, XG
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