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Buried isolation using ion implantation and subsequent epitaxial growth 专利
专利号: US5160492, 申请日期: 1992-11-03, 公开日期: 1992-11-03
作者:  WANG, SHIH-YUAN;  RENNE TY TAN, MICHAEL
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
NITROGEN ION-IMPLANTATION FOR THE SURFACE MODIFICATION OF 9CR18MO STEEL 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1992, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 55-58
作者:  WANG, TM;  SHI, J;  ZHANG, XS
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/10/09
NITROGEN ION-IMPLANTATION FOR THE SURFACE MODIFICATION OF 9CR18MO STEEL 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1992, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 55-58
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收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
- 专利
专利号: JP1992059791B2, 申请日期: 1992-09-24, 公开日期: 1992-09-24
作者:  NAKAJIMA YASUO
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
Method of fabricating a semiconductor optical device 专利
专利号: US5145792, 申请日期: 1992-09-08, 公开日期: 1992-09-08
作者:  HIRATA, TAKAAKI
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
Ridge-waveguide buried-heterostructure laser and method of fabrication 专利
专利号: US5138626, 申请日期: 1992-08-11, 公开日期: 1992-08-11
作者:  YAP, DANIEL
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
THE STUDY OF CARBON-FILM ON THE SURFACE OF N + B ION-IMPLANTED LAYER 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 1992, 卷号: 214, 期号: 2, 页码: 164-168
作者:  YANG, DH;  ZHANG, XS;  XUE, QJ
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/10/09
Atomic element doped semi-conductor injection laser fabricated by using ion implantation and epitaxial growth on the implanted surface 专利
专利号: EP0470372A3, 申请日期: 1992-04-22, 公开日期: 1992-04-22
作者:  WANG, SHIH-YUAN;  TAN, MICHAEL R.T.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1992068588A, 申请日期: 1992-03-04, 公开日期: 1992-03-04
作者:  KAMISATO TAKESHI
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
Window structure semiconductor laser and manufacture method 专利
专利号: JP1992061391A, 申请日期: 1992-02-27, 公开日期: 1992-02-27
作者:  KOMAZAKI IWAO
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