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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 Materials Technology, 2016 作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liu, Z.S. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/11 The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11 Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4 作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/11 Low threshold continuous-wave lasing of yellow-green InGaN-QD vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 14 作者:  Weng, GE;  Mei, Y;  Liu, JP(刘建平);  Hofmann, W;  Ying, LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11