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半导体研究所 [48]
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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Quantitative surface enhanced Raman scattering detection based on the "sandwich" structure substrate
期刊论文
spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2011, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: 625-630
作者:
Tang AW
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浏览/下载:83/5
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提交时间:2011/07/15
SILVER NANORODS
HOT-SPOTS
ACTIVE SUBSTRATE
NANOWIRE ARRAYS
SPECTROSCOPY
SERS
NANOPARTICLES
SENSITIVITY
REDUCTION
STABILITY
Quantum mechanical study on tunnelling and ballistic transport of nanometer si mosfets
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Deng Hui-Xiong
;
Jiang Xiang-Wei
;
Tang Li-Ming
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
First-principles study of ground-state properties and high pressure behavior of tho2
期刊论文
Journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 399, 期号: 2-3, 页码: 181-188
作者:
Wang, Bao-Tian
;
Shi, Hongliang
;
Li, Wei-Dong
;
Zhang, Ping
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Interference in transport through double barriers in interacting quantum wires
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 15, 页码: 6
作者:
Wang, Shaoqin
;
Zhou, Liling
;
Zeng, Zhao Yang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Mechanical and chemical bonding properties of ground state beh2
期刊论文
European physical journal b, 2010, 卷号: 74, 期号: 3, 页码: 303-308
作者:
Wang, B. -T.
;
Zhang, P.
;
Shi, H. -L.
;
Sun, B.
;
Li, W. -D.
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
First-principles study of uc2 and u2c3
期刊论文
Journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
作者:
Shi, Hongliang
;
Zhang, Ping
;
Li, Shu-Shen
;
Wang, Baotian
;
Sun, Bo
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
First-principle calculation
Gga plus u
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
收藏
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浏览/下载:78/12
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提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
First-principles study of ground-state properties and high pressure behavior of ThO2
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 399, 期号: 2-3, 页码: 181-188
Wang BT (Wang Bao-Tian)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Li WD (Li Wei-Dong)
;
Zhang P (Zhang Ping)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/06/18
ELASTIC PROPERTIES
ACTINIDE DIOXIDES
THORIUM-DIOXIDE
SINGLE-CRYSTAL
STABILITY
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