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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [17]
会议论文 [2]
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2011 [2]
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2006 [2]
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学科主题
半导体材料 [19]
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学科主题:半导体材料
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:84/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:94/7
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提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073111
Ding Y (Ding Y.)
;
Fan WJ (Fan W. J.)
;
Ma BS (Ma B. S.)
;
Xu DW (Xu D. W.)
;
Yoon SF (Yoon S. F.)
;
Liang S (Liang S.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Wasiak M (Wasiak M.)
;
Czyszanowski T (Czyszanowski T.)
;
Nakwaski W (Nakwaski W.)
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/11/14
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
MODES
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
15th international conferene on dynamical processes in excited states of solids, shanghai, peoples r china, aug 01-05, 2005
作者:
Jin P
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浏览/下载:159/26
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提交时间:2010/03/29
quantum dots
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of luminescence, 2006, 卷号: 119, 期号: 0, 页码: 183-187
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dots
exciton
photoluminescence
Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
DOT INFRARED PHOTODETECTORS
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
SPECTROSCOPY
PHOTOCONDUCTIVITY
HETEROSTRUCTURES
TRANSITIONS
LASERS
WELLS
INP
Optical and magnetic properties of ZnS nanoparticles doped with Mn2+
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 1-2, 页码: 179-185
Peng, WQ
;
Qu, SC
;
Cong, GW
;
Zhang, XQ
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:70/25
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提交时间:2010/03/17
nanostructures
Observation of intershell and hybridized energy states in InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 9, 页码: art.no.093104
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:118/24
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提交时间:2010/03/17
OPTICAL-PROPERTIES
Optical Pr operties of GaNAs and GaAsSb Semiconductors
期刊论文
中国科学院研究生院学报, 2005, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 645-655
Luo Xiangdong
;
Xu Zhongying
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminesfcence of Er-doped SiO2 films containing Si nanocrystals and Er
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 10-15
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:441/2
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
chemical vapor deposition processes
nanomaterials
semiconducting materials
SILICON NANOCRYSTALS
LUMINESCENCE
EXCITATION
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