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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389 作者:  Wang, JX;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Li, JM;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/11/09 characterization  molecular beam epitaxy  gallium compounds  nitrides  piezoelectric materials  semiconducting gallium compounds   Effect of the growth conditions on infrared upconversion efficiency of CaS : Eu, Sm thin films 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2001, 卷号: 73, 期号: 1, 页码: 115-119 作者:  Fan, WH;  Hou, X;  Zhao, W;  Gao, XJ;  Zou, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/11/10 Effect of the growth conditions on infrared upconversion efficiency of CaS : Eu, Sm thin films 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2001, 卷号: 73, 期号: 1, 页码: 115-119 作者:  Fan, WH;  Hou, X;  Zhao, W;  Gao, XJ;  Zou, W 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/11/10 Effect of inxga1-xas (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength inas/gaas quantum islands 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL;  Miao, ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Low dimensional structures  Optical microscopy  Molecular beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Effect of ion-induced damage on ganas/gaas quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 作者:  Li, LH;  Pan, Z;  Zhang, W;  Lin, YW;  Wang, XY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Quantum wells   Preparation of highly crystalline a-axis-oriented YBa2Cu3O7-delta superconducting films by a self-template technique 期刊论文 SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 2001, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 229 Wu, PJ; Zheng, DN; Chen, L; Liu, W; Wu, F; Chen, H; Zhao, ZX 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  FABRICATION  JUNCTIONS   An effect of Si nanoparticles on enhancing Er3+ electroluminescence in Si-rich SiO2 : Er films 期刊论文 Solid State Communications, 2001, 卷号: 118, 期号: 11, 页码: 599-602 G. Z. Ran; Y. Chen; F. C. Yuan; Y. P. Qiao; J. S. Fu; Z. C. Ma; W. H. Zong; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/14 thin films  nanostructures  recombination and trapping  luminescence  molecular-beam epitaxy  oxygen-doped silicon  erbium  nanocrystals  light  oxide   Effect of rapid thermal annealing an the structural characteristics of cubic GaN epilayer grown on GaAs (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 222, 期号: 3, 页码: 503 Liu, HF; Chen, H; Xu, M; Wan, L; Mai, ZH; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/09/17 DIODES   Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Wang JX; Sun DZ; Wang XL; Li JM; Zeng YP; Hou X; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 characterization  molecular beam epitaxy  gallium compounds  nitrides  piezoelectric materials  semiconducting gallium compounds  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  DIODES