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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2018 作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶) 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/03/27 Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 AIP ADVANCES, 2018 作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/03/27 Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018 作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Fan, Yaming(范亚明);  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Yu, Guohao(于国浩);  Zhao, Jie 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/03/27 Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018 作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Li, Xiang;  Xu, Ning;  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Zhang, Xinping 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/03/27 Solar-blind ultraviolet photodetector based on graphene/vertical Ga2O3 nanowire array heterojunction 期刊论文 NANOPHOTONICS, 2018 作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhang, Xiaodong(张晓东);  Zhao, Yukun;  Fu, Kai(付凯);  Sun, Chi 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/03/27 AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东） 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05 Tunneling-Hopping Transport Model for Reverse Leakage Current in InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes 期刊论文 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017 作者:  Zhao, Linna;  Chen, Leilei;  Yu, Guohao（于国浩）;  Yan, Dawei;  Yang, Guofeng 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/02/06 Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Song, Liang;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩） 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/02/05