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大连理工大学 [2]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2018 [3]
2017 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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High-Frequency Switching Properties and Low Oxide Electric Field and Energy Loss in a Reverse-Channel 4H-SiC UMOSFET
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码: 4046-4053
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Member
;
IEEE
;
Guoguo Yan
;
Zhengxin Wen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/05/24
The composition and interfacial properties of annealed AlN films deposited on 4H-SiC by atomic layer deposition
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 卷号: 94, 页码: 107-115
作者:
Jun Chen
;
Bowen Lv
;
Feng Zhang
;
Yinshu Wang
;
Xingfang Liu
;
Guoguo Yan
;
Zhanwei Shen
;
Zhengxin Wen
;
Lei Wang
;
Wanshun Zhao
;
Guosheng Sun
;
Chao Liu
;
Yiping Zeng
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/07/31
Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/ GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 34, 页码: 345102
作者:
Huang Huolin
;
Sun Zhonghao
;
Cao Yaqing
;
Li Feiyu
;
Zhang Feng
;
Wen Zhengxin
;
Zhang Zifeng
;
Liang Yung C.
;
Hu Lizhong
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/11/15
Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51
作者:
Huang, Huolin
;
Sun, Zhonghao
;
Cao, Yaqing
;
Li, Feiyu
;
Zhang, Feng
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/02
gallium nitride (GaN)
semiconductor devices
surface donor-like traps
current collapse
Obtaining Exact Electrical Parameters in Semiconductor Ohmic Contacts Using a Novel Electrode Pair Layout Design
会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者:
Huang, Huolin
;
Sun, Zhonghao
;
Cao, Yaqing
;
Li, Feiyu
;
Hu, Lizhong
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/02
Electrode Pair (EP)
Ohmic contact
IC design
Modelling
A Novel Silicon Carbide Accumulation Channel Injection Enhanced Gate Transistor With Buried Barrier Under Shielding Region
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 7, 页码: 941-944
作者:
Zhengxin Wen
;
Feng Zhang
;
Member
;
IEEE
;
Zhanwei Shen
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/06/01
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