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Magneto-transport property of an AlInN/AlN/GaN heterostructure 期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2019, 卷号: 562, 期号: 无, 页码: 112-115
作者:  Xie X. J.;  Gao K. H.;  Li S.;  Zhou D. B.;  Zhou W. Z.
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Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU
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InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107579432A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
作者:  郭志友;  侯玉菲;  孙慧卿;  汪鑫;  张秀
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GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 662, 页码: 16-19
X.G. He; D.G. Zhao; D.S. Jiang; J.J. Zhu; P. Chen; Z.S. Liu; L.C. Le; J. Yang; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10
日盲紫外DBR及其制备方法 专利
专利号: CN103400912A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
作者:  陈敦军;  张荣;  郑有炓
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Structural modifications of AlInN/GaN thin films by neon ion implantation 期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2013, 卷号: 377, 期号: 41, 页码: 2986-2989
Majid, A; Husnain, G; Usman, M; Shakoor, A; Hassan, N; Zhu, JJ(朱建军)
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GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文
Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2
C. J. Dong; M. Xu; W. Lu; Q. Z. Huang
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Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
作者:  S.M. Zhang(张书明);  Y.M. Fan(范亚明);  B.S. Zhang(张宝顺);  H. Yang(杨辉)
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Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
Zhu, JJ; Fan, YM; Zhang, H; Lu, GJ; Wang, H; Zhao, DG; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, SM; Chen, GF; Zhang, BS; Yang, H
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