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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/07/15
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/05/14
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/03/19
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/09/26
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13
Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 074008-1-074008-6
作者:  Zheng, Qiwen;  Yu, Xuefeng;  Cui, Jiangwei;  Guo, Qi;  Cong, Zhongchao
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/11
超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文
第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012
作者:  余学峰
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/11/10
Heavy-Ion-Induced Permanent Damage in Ultra-deep Submicron Fully Depleted SOI Devices 其他
2012-01-01
Tan, Fei; An, Xia; Huang, Liangxi; Zhang, Xing; Huang, Ru
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13

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