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Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:
Ye TC(叶甜春)
;
Mao SJ(毛淑娟)
;
Wang GL(王桂磊)
;
Xu J(许静)
;
Luo X(罗雪)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/05
Study of Hetero-Tunneling gFET with an Ultra-shallow Pocket Junction
会议论文
作者:
Wang DH(王大海)
;
Xu GB(许高博)
;
Xu QX(徐秋霞)
;
Yin HX(殷华湘)
;
Zhao C(赵超)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/05/07
Study of Si Green Transistor with an Ultra-shallow Pocket Junction
会议论文
作者:
Li CL(李春龙)
;
Li JJ(李俊杰)
;
Xu GB(许高博)
;
Xu QX(徐秋霞)
;
Yin HX(殷华湘)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/05/07
Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2007, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1394
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Liu, HH
;
Han, ZS
;
Ye, TC
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/18
Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs
外文期刊
2007
作者:
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Liu, HH
;
Han, ZS
;
Ye, TC
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 26
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Qi, XY
;
Xu, QX
;
Li, HO
;
Qian, H
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/24
MOBILITY ENHANCEMENT
LAYER SUPERLATTICES
ELASTIC RELAXATION
SPECIMENS
锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究
期刊论文
电子学报, 2006
蔡一茂
;
黄如
;
单晓楠
;
周发龙
;
王阳元
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/12
金属栅 镍硅金属栅 功函数 超浅结 锗预非晶化
Study on the impact of germanium preamorphization on the work function of fully silicided NiSi gate
期刊论文
tien tzu hsueh paoacta electronica sinica, 2006
Cai, Yi-Mao
;
Huang, Ru
;
Shan, Xiao-Nan
;
Zhou, Fa-Long
;
Wang, Yang-Yuan
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Study on the impact of Ge-implantation on the work function of fully silicided NiSi gate as ultra-shallow junction formed by using germanium preamorphization
其他
2005-01-01
Cai, YM
;
Xu, C
;
Shan, XN
;
Huang, R
;
Wang, YY
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
POLY-SI
Study on the impact of Ge-implantation on the work function of fully silicided NiSi gate as ultra-shallow junction formed by using germanium preamorphization
其他
2005-01-01
Cai, Yimao
;
Xu, Chuan
;
Shan, Xiaonan
;
Huang, Ru
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
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